CED95P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED95P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED95P04
Principales características: CED95P04
ced95p04 ceu95p04.pdf
CED95P04/CEU95P04 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V. RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)
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Liste
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