CED95P04 Todos los transistores

 

CED95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED95P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 77 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 ced95p04 ceu95p04.pdf pdf_icon

CED95P04

CED95P04/CEU95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , AON6380 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 .

History: SVF14N65CFJ | SVF1N60AM | CED6601 | IPB65R280E6

 

 
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