CED95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED95P04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 73.5 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 77 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de la puerta (Qg): 59 nC

Tiempo de subida (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0086 Ohm

Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED95P04

 

BUY TRANSISTORS

 

CED95P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:400K  cet
 ced95p04 ceu95p04.pdf

CED95P04/CEU95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF1405 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .