CED95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED95P04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 73.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 77 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 59 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0086 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED95P04 Datasheet (PDF)

1.1. ced95p04 ceu95p04.pdf Size:400K _cet

CED95P04/CEU95P04 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -40V, -77A, RDS(ON) =8.6m? @VGS = -10V. RDS(ON) =12m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

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