CED95P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CED95P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 73.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 77 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 59 nC
   Tiempo de subida (tr): 18 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED95P04

CED95P04 Datasheet (PDF)

..1. Size:400K cet
ced95p04 ceu95p04.pdf

CED95P04/CEU95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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