Справочник MOSFET. CED95P04

 

CED95P04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED95P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 73.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 59 nC

Время нарастания (tr): 18 ns

Выходная емкость (Cd): 650 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0086 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED95P04

 

 

CED95P04 Datasheet (PDF)

1.1. ced95p04 ceu95p04.pdf Size:400K _cet

CED95P04
CED95P04

CED95P04/CEU95P04 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -40V, -77A, RDS(ON) =8.6m? @VGS = -10V. RDS(ON) =12m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top