CED95P04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CED95P04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 73.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 77 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 59 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 650 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0086 Ohm
Тип корпуса: TO251
CED95P04 Datasheet (PDF)
..1. ced95p04 ceu95p04.pdf Size:400K _cet
CED95P04/CEU95P04P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -77A, RDS(ON) =8.6m @VGS = -10V.RDS(ON) =12m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)
Другие MOSFET... CED30P10 , CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , IRLB3034 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SVG104R5NS | SVG104R5NT | RX80N07 | GWM13S65YRX | GWM13S65YRY | GWM13S65YRD | GWM13S65YRE | DTM4415 | 2SK741 | YSF040N010T1A | YSK038N010T1A | YSP040N010T1A | ZM075N03D | KMK1265F | FNK6075K | CSD30N70