CEF14P20 Todos los transistores

 

CEF14P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF14P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 74 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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CEF14P20 Datasheet (PDF)

1.1. cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf Size:385K _cet

CEF14P20
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CEP14P20/CEB14P20 CEF14P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14P20 -200V 0.36Ω -13.5A -10V CEB14P20 -200V 0.36Ω -13.5A -10V CEF14P20 -200V 0.36Ω -13.5A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIE

5.1. cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf Size:435K _cet

CEF14P20
CEF14P20

CEP14N5/CEB14N5 CEF14N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14N5 500V 0.38Ω 14A 10V CEB14N5 500V 0.38Ω 14A 10V CEF14N5 500V 0.38Ω 14A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

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