CEF14P20 Todos los transistores

 

CEF14P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF14P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 42 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 200 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 13.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 74 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.36 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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CEF14P20 Datasheet (PDF)

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CEF14P20
CEF14P20

CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE

9.1. cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf Size:435K _cet

CEF14P20
CEF14P20

CEP14N5/CEB14N5CEF14N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14N5 500V 0.38 14A 10VCEB14N5 500V 0.38 14A 10VCEF14N5 500V 0.38 14A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

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