CEF14P20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF14P20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 74 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm
Тип корпуса: TO220F
CEF14P20 Datasheet (PDF)
..1. cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf 
Size:385K _cet
CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE
9.1. cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf Size:435K _cet
CEP14N5/CEB14N5CEF14N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14N5 500V 0.38 14A 10VCEB14N5 500V 0.38 14A 10VCEF14N5 500V 0.38 14A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER
Другие MOSFET... CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , IRFB4110 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SVG104R5NS | SVG104R5NT | RX80N07 | GWM13S65YRX | GWM13S65YRY | GWM13S65YRD | GWM13S65YRE | DTM4415 | 2SK741 | YSF040N010T1A | YSK038N010T1A | YSP040N010T1A | ZM075N03D | KMK1265F | FNK6075K | CSD30N70