CEF14P20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEF14P20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEF14P20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF14P20 даташит

 ..1. Size:385K  cet
 cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf pdf_icon

CEF14P20

CEP14P20/CEB14P20 CEF14P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10V CEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10V CEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIE

 9.1. Size:435K  cet
 cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf pdf_icon

CEF14P20

CEP14N5/CEB14N5 CEF14N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14N5 500V 0.38 14A 10V CEB14N5 500V 0.38 14A 10V CEF14N5 500V 0.38 14A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

Другие IGBT... CED3301, CED3423, CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04, 12N60, CEF15P15, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CEH3456