Справочник MOSFET. CEF14P20

 

CEF14P20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEF14P20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 74 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF14P20

 

 

CEF14P20 Datasheet (PDF)

1.1. cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf Size:385K _cet

CEF14P20 CEF14P20

CEP14P20/CEB14P20 CEF14P20 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14P20 -200V 0.36Ω -13.5A -10V CEB14P20 -200V 0.36Ω -13.5A -10V CEF14P20 -200V 0.36Ω -13.5A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIE

5.1. cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf Size:435K _cet

CEF14P20 CEF14P20

CEP14N5/CEB14N5 CEF14N5 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP14N5 500V 0.38Ω 14A 10V CEB14N5 500V 0.38Ω 14A 10V CEF14N5 500V 0.38Ω 14A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

Другие MOSFET... CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , STP75NF75 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 .

 

 
Back to Top