Справочник MOSFET. CEF14P20

 

CEF14P20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF14P20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF14P20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF14P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cet
 cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf pdf_icon

CEF14P20

CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE

 9.1. Size:435K  cet
 cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf pdf_icon

CEF14P20

CEP14N5/CEB14N5CEF14N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14N5 500V 0.38 14A 10VCEB14N5 500V 0.38 14A 10VCEF14N5 500V 0.38 14A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

Другие MOSFET... CED3301 , CED3423 , CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , AO4407 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 .

 

 
Back to Top

 


 
.