CEF6601 Todos los transistores

 

CEF6601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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CEF6601 datasheet

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf pdf_icon

CEF6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATING... See More ⇒

Otros transistores... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , NCEP15T14 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .

 

 
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MOSFET: AP75N04K | AP70P03K | AP70N100K | AP6900 | AP6802 | AP6800 | AP6242 | AP60P20K | AP60N04Q | AP6009S | AP6007S | AP5N50K | AP5N20K | AP5N10S | AP5N10M | AP50P20Q

 

 

 
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