CEF6601 Todos los transistores

 

CEF6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEF6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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CEF6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
cep6601 ceb6601 cef6601.pdf

CEF6601
CEF6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

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