CEF6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEF6601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 19 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.086 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220F
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CEF6601 Datasheet (PDF)
1.1. cep6601 ceb6601 cef6601.pdf 
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CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
Otros transistores... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , IRF250 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .
