CEF6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.086 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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CEF6601 Datasheet (PDF)

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CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

Otros transistores... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , IRF250 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .

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