CEF6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEF6601
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de CEF6601 MOSFET
CEF6601 Datasheet (PDF)
cep6601 ceb6601 cef6601.pdf

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING
Otros transistores... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , IRFP450 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .
History: STH12N60FI | IXTP1N80P | 2N7275R | HY3008PL
History: STH12N60FI | IXTP1N80P | 2N7275R | HY3008PL



Liste
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