CEF6601 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEF6601  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEF6601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF6601 даташит

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf pdf_icon

CEF6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие IGBT... CED4201, CED4301, CED4311, CED6601, CED6861, CED95P04, CEF14P20, CEF15P15, CS150N03A8, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CEH3456, CEM2163, CEM2187