Справочник MOSFET. CEF6601

 

CEF6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEF6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22.6 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 95 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для CEF6601

 

 

CEF6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
 cep6601 ceb6601 cef6601.pdf

CEF6601 CEF6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top