CEF6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF6601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm
Тип корпуса: TO220F
CEF6601 Datasheet (PDF)
..1. cep6601 ceb6601 cef6601.pdf Size:428K _cet
CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING
Другие MOSFET... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , AON6414A , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SVG104R5NS | SVG104R5NT | RX80N07 | GWM13S65YRX | GWM13S65YRY | GWM13S65YRD | GWM13S65YRE | DTM4415 | 2SK741 | YSF040N010T1A | YSK038N010T1A | YSP040N010T1A | ZM075N03D | KMK1265F | FNK6075K | CSD30N70