Справочник MOSFET. CEF6601

 

CEF6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEF6601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 19 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Время нарастания (tr): 4 ns

Выходная емкость (Cd): 95 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF6601

 

 

CEF6601 Datasheet (PDF)

..1. cep6601 ceb6601 cef6601.pdf Size:428K _cet

CEF6601 CEF6601

CEP6601/CEB6601 CEF6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -19A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220 TO-220F SABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , AON6414A , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .

 

 
Back to Top