CEF6601 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEF6601
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.086 Ohm
Тип корпуса: TO220F
CEF6601 Datasheet (PDF)
1.1. cep6601 ceb6601 cef6601.pdf 
Size:428K _cet
CEP6601/CEB6601 CEF6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -19A, RDS(ON) = 86m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. G CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 TO-220F S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
Другие MOSFET... CED4201 , CED4301 , CED4311 , CED6601 , CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , IRF250 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: UPA2700GR | UPA2680T1E | UPA2672T1R | UPA2670T1R | UPA2650T1E | UPA2593T1H | UPA2592T1H | UPA2591T1H | UPA2590T1H | UPA2562T1H | UPA2561T1H | UPA2560T1H | UPA2560 | UPA2550T1H | UPA2550 |