CEH2331 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEH2331
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de CEH2331 MOSFET
CEH2331 Datasheet (PDF)
ceh2331.pdf

CEH2331P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-20V, -5.2A , RDS(ON) = 48m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = -2.5V. RDS(ON) = 78m @VGS = -1.8V. High dense cell design for extremely low RDS(ON).D(1,2,5,6,)Rugged and reliable.Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA
ceh2316.pdf

CEH2316N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6A , RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit
ceh2313.pdf

CEH2313P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol
ceh2310.pdf

CEH2310N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 6.2A , RDS(ON) = 33m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V. D(1,2,5,6,)High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.Lead-free plating ; RoHS compliant.45TSOP-6 package.6G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE
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Liste
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