CEH2331 - описание и поиск аналогов

 

CEH2331 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEH2331
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для CEH2331

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEH2331 технические параметры

 ..1. Size:428K  cet
 ceh2331.pdf pdf_icon

CEH2331

CEH2331 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -5.2A , RDS(ON) = 48m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = -2.5V. RDS(ON) = 78m @VGS = -1.8V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). D(1,2,5,6,) Rugged and reliable. Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA

 9.1. Size:164K  cet
 ceh2316.pdf pdf_icon

CEH2331

CEH2316 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 6A , RDS(ON) = 34m @VGS = 10V. RDS(ON) = 50m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit

 9.2. Size:340K  cet
 ceh2313.pdf pdf_icon

CEH2331

CEH2313 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -4.6A, RDS(ON) = 60m @VGS = -10V. RDS(ON) = 90m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol

 9.3. Size:1163K  cet
 ceh2310.pdf pdf_icon

CEH2331

CEH2310 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 6.2A , RDS(ON) = 33m @VGS = 10V. RDS(ON) = 38m @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 50m @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 60m @VGS = 1.8V. D(1,2,5,6,) High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. Lead-free plating ; RoHS compliant. 4 5 TSOP-6 package. 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , AO4407 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 .

 

 
Back to Top

 


 
.