CEH3456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEH3456

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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CEH3456 Datasheet (PDF)

1.1. ceh3456.pdf Size:164K _cet

CEH3456 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 59m? @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units

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