CEH3456 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEH3456  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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CEH3456 datasheet

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CEH3456

CEH3456 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42m @VGS = 10V. RDS(ON) = 59m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limi

Otros transistores... CEF14P20, CEF15P15, CEF6601, CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CS150N04A8, CEM2163, CEM2187, CEM2281, CEM2401, CEM2407, CEM3053, CEM3083, CEM3301