CEH3456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEH3456

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 2 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm

Empaquetado / Estuche: TSOP6

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CEH3456 Datasheet (PDF)

0.1. ceh3456.pdf Size:164K _cet

CEH3456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 5.5A, RDS(ON) = 42m @VGS = 10V. RDS(ON) = 59m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limi

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