CEH3456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEH3456
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSOP6
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CEH3456 Datasheet (PDF)
1.1. ceh3456.pdf 
Size:164K _cet
CEH3456 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 59mΩ @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limi
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