CEH3456 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEH3456
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для CEH3456
CEH3456 Datasheet (PDF)
ceh3456.pdf
CEH3456N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 5.5A, RDS(ON) = 42m @VGS = 10V. RDS(ON) = 59m @VGS = 4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.D(1,2,5,6,)Lead free product is acquired.TSOP-6 package.456G(3)321S(4)TSOP-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limi
Другие MOSFET... CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CS150N03A8 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 .
History: 15N50
History: 15N50
 
 
 
 
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM1030MA | AGM1010A-F | AGM1010A-E | AGM1010A2 | AGM08T15C | AGM085N10F | AGM085N10C1 | AGM085N10C | AGM065N10D | AGM065N10C | AGM056N10H | AGM056N10C | AGM056N10A | AGM056N08C | AGM042N10D | AGM10N15D
 
 
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor


