CEH3456 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEH3456
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для CEH3456
CEH3456 технические параметры
ceh3456.pdf
CEH3456 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 5.5A, RDS(ON) = 42m @VGS = 10V. RDS(ON) = 59m @VGS = 4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D(1,2,5,6,) Lead free product is acquired. TSOP-6 package. 4 5 6 G(3) 3 2 1 S(4) TSOP-6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limi
Другие MOSFET... CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , BS170 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K | AP90P03K | AP90N04Q | AP90N04K | AP90N04G | AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor


