CEM2281 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM2281
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM2281
CEM2281 Datasheet (PDF)
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CEM2281P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-20V, -7.2A, RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25
Otros transistores... CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , AON7506 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L .
