CEM2281 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM2281  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM2281

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM2281 даташит

 ..1. Size:271K  cet
 cem2281.pdf pdf_icon

CEM2281

CEM2281 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -20V, -7.2A, RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25

Другие IGBT... CEH2305, CEH2313, CEH2321, CEH2321A, CEH2331, CEH3456, CEM2163, CEM2187, IRF1407, CEM2401, CEM2407, CEM3053, CEM3083, CEM3301, CEM3307, CEM3317, CEM3405L