CEM2281 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEM2281
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM2281
CEM2281 Datasheet (PDF)
cem2281.pdf

CEM2281P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-20V, -7.2A, RDS(ON) = 30m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 43m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25
Другие MOSFET... CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , CEH2321A , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , RFP50N06 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L .
History: IRFZ25
History: IRFZ25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S | AP6P04S | AP6G03S | AP65N06DF | AP65N06D | AP4957A | AP15H06S | AP10G04S | AP90N08NF | AP8P06S | AP4G02LI | AP4606B | AP3P06MI | AP2302AI
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827