CEM3083 Todos los transistores

 

CEM3083 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM3083
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Carga de la puerta (Qg): 37.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 11.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 465 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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CEM3083 Datasheet (PDF)

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cem3083.pdf

CEM3083 CEM3083

CEM3083P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -13A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

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cem3053.pdf

CEM3083 CEM3083

CEM3053P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 7m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 4000 VSO-81 2 3 41 S S S GABSOLUT

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cem3032.pdf

CEM3083 CEM3083

CEM3032N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 18A, RDS(ON) = 4.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

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cem3060.pdf

CEM3083 CEM3083

CEM3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 14A, RDS(ON) = 7.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

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