Справочник MOSFET. CEM3083

 

CEM3083 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEM3083

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 37.9 nC

Время нарастания (tr): 11.2 ns

Выходная емкость (Cd): 465 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM3083

 

 

CEM3083 Datasheet (PDF)

0.1. cem3083.pdf Size:617K _cet

CEM3083
CEM3083

CEM3083P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -13A, RDS(ON) = 10m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15.5m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless oth

9.1. cem3060.pdf Size:418K _cet

CEM3083
CEM3083

CEM3060N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 14A, RDS(ON) = 7.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherw

9.2. cem3032.pdf Size:618K _cet

CEM3083
CEM3083

CEM3032N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 18A, RDS(ON) = 4.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C un

 9.3. cem3053.pdf Size:385K _cet

CEM3083
CEM3083

CEM3053P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 7m @VGS = -10V. RDS(ON) = 15m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package. ESD Protected: 4000 VSO-81 2 3 41 S S S GABSOLUT

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top