CEM3307 Todos los transistores

 

CEM3307 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM3307

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.033 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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CEM3307 Datasheet (PDF)

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CEM3307
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CEM3307P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles

8.1. cem3301.pdf Size:440K _cet

CEM3307
CEM3307

CEM3301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -7.0A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe

 9.1. cem3317.pdf Size:896K _cet

CEM3307
CEM3307

CEM3317P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.-30V, -4.9A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surfa

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