CEM3307 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEM3307
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.033 Ohm
Тип корпуса: SO8
CEM3307 Datasheet (PDF)
0.1. cem3307.pdf 
Size:455K _cet
CEM3307P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unles
8.1. cem3301.pdf Size:440K _cet
CEM3301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -7.0A, RDS(ON) = 32m @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless othe
9.1. cem3317.pdf Size:896K _cet
CEM3317P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m @VGS = -4.5V.-30V, -4.9A, RDS(ON) = 52m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surfa
Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
