CEM3307 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEM3307
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 220 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.033 Ohm
Тип корпуса: SO8
CEM3307 Datasheet (PDF)
1.1. cem3307.pdf 
Size:455K _cet
CEM3307 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other
4.1. cem3301.pdf Size:440K _cet
CEM3301 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -7.0A, RDS(ON) = 32m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 50m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise n
5.1. cem3317.pdf Size:896K _cet
CEM3317 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -6.2A, RDS(ON) = 33m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 52m? @VGS = -4.5V. -30V, -4.9A, RDS(ON) = 52m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Pa
Другие MOSFET... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
