CEM3405L Todos los transistores

 

CEM3405L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM3405L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de CEM3405L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEM3405L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  cet
 cem3405l.pdf pdf_icon

CEM3405L

CEM3405LP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D D D DHigh power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S G

 8.1. Size:226K  cet
 cem3407l.pdf pdf_icon

CEM3405L

CEM3407LDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2

Otros transistores... CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , 2N60 , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 .

History: PSMN2R2-40PS

 

 
Back to Top

 


 
.