CEM3405L Todos los transistores

 

CEM3405L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM3405L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

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CEM3405L Datasheet (PDF)

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cem3405l.pdf

CEM3405L
CEM3405L

CEM3405LP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D D D DHigh power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S G

 8.1. Size:226K  cet
cem3407l.pdf

CEM3405L
CEM3405L

CEM3407LDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2

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