CEM3405L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEM3405L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V
Corriente continua de drenaje (Id): 5.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.048 Ohm
Empaquetado / Estuche: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEM3405L
CEM3405L Datasheet (PDF)
1.1. cem3405l.pdf 
Size:106K _cet
CEM3405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m? @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m? @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D D D D High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE
4.1. cem3407l.pdf Size:226K _cet
CEM3407L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m? @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m? @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE
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