CEM3405L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM3405L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM3405L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM3405L даташит

 ..1. Size:106K  cet
 cem3405l.pdf pdf_icon

CEM3405L

CEM3405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D D D D High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G

 8.1. Size:226K  cet
 cem3407l.pdf pdf_icon

CEM3405L

CEM3407L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2

Другие IGBT... CEM2281, CEM2401, CEM2407, CEM3053, CEM3083, CEM3301, CEM3307, CEM3317, 20N50, CEM3407L, CEM4201, CEM4207, CEM4301, CEM4311, CEM4435A, CEM4948, CEM4953