CEM3407L Todos los transistores

 

CEM3407L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM3407L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.048 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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CEM3407L Datasheet (PDF)

1.1. cem3407l.pdf Size:226K _cet

CEM3407L
CEM3407L

CEM3407L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5.1A, RDS(ON) = 48mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 65mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115mΩ @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2

4.1. cem3405l.pdf Size:106K _cet

CEM3407L
CEM3407L

CEM3405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -5.7A, RDS(ON) = 48mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 62mΩ @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115mΩ @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D D D D High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G

 

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