Справочник MOSFET. CEM3407L

 

CEM3407L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEM3407L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для CEM3407L

 

 

CEM3407L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  cet
 cem3407l.pdf

CEM3407L CEM3407L

CEM3407LDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2

 8.1. Size:106K  cet
 cem3405l.pdf

CEM3407L CEM3407L

CEM3405LP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).D D D DHigh power and current handing capability.8 7 6 5Lead free product is acquired.Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S G

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top