CEM4435A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM4435A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: SO8

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CEM4435A Datasheet (PDF)

1.1. cem4435a.pdf Size:390K _cet

CEM4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8A, RDS(ON) = 20m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise no

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Liste

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