Справочник MOSFET. CEM4435A

 

CEM4435A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CEM4435A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 9 ns

Выходная емкость (Cd): 285 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM4435A

 

 

CEM4435A Datasheet (PDF)

1.1. cem4435a.pdf Size:390K _cet

CEM4435A CEM4435A

CEM4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8A, RDS(ON) = 20m? @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m? @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise no

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top