CEM4435A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CEM4435A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CEM4435A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM4435A даташит

 ..1. Size:380K  cet
 cem4435a.pdf pdf_icon

CEM4435A

CEM4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

 ..2. Size:872K  cn vbsemi
 cem4435a.pdf pdf_icon

CEM4435A

CEM4435A www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D

Другие IGBT... CEM3307, CEM3317, CEM3405L, CEM3407L, CEM4201, CEM4207, CEM4301, CEM4311, 8N60, CEM4948, CEM4953, CEM4953A, CEM4953H, CEM6601, CEM6607, CEM6861, CEM6867