CEM4435A - аналоги и даташиты транзистора

 

CEM4435A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEM4435A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM4435A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM4435A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:380K  cet
 cem4435a.pdf pdf_icon

CEM4435A

CEM4435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -8A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

 ..2. Size:872K  cn vbsemi
 cem4435a.pdf pdf_icon

CEM4435A

CEM4435Awww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.018 at VGS = - 10 V - 9.0 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.024 at VGS = - 4.5 V - 7.8APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS SO-8S1 8 DG S D2 7S3 6 D

Другие MOSFET... CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , CEM3407L , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , IRFB31N20D , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 .

 

 
Back to Top

 


 
.