CEM8311 Todos los transistores

 

CEM8311 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM8311
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 395 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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CEM8311 Datasheet (PDF)

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CEM8311

CEM8311Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-30V, -7.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2

Otros transistores... CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 , STP65NF06 , CEM8435A , CEM9407A , CEM9435 , CEM9435A , CEM9953A , CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 .

History: 2SK1524 | BRCS070N03DP | 2N7002TC | PMPB48EP | CJQ9435 | IPA041N04NG

 

 
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