CEM8311 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEM8311
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для CEM8311
CEM8311 Datasheet (PDF)
cem8311.pdf

CEM8311Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-30V, -7.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2
Другие MOSFET... CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 , RU7088R , CEM8435A , CEM9407A , CEM9435 , CEM9435A , CEM9953A , CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 .
History: P261ALV | AO4404B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor