Справочник MOSFET. CEM8311

 

CEM8311 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEM8311
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для CEM8311

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8311 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  cet
 cem8311.pdf pdf_icon

CEM8311

CEM8311Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-30V, -7.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2

Другие MOSFET... CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A , CEM4953H , CEM6601 , CEM6607 , CEM6861 , CEM6867 , STP65NF06 , CEM8435A , CEM9407A , CEM9435 , CEM9435A , CEM9953A , CEN2301 , CEP05P03 , CEP12P10 .

History: HAT2134H | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | AP65PN2R6H | IXTA3N150HV | RJK4014DPK

 

 
Back to Top

 


 
.