CEM8311. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEM8311

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 395 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для CEM8311

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEM8311 даташит

 ..1. Size:181K  cet
 cem8311.pdf pdf_icon

CEM8311

CEM8311 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 5 -30V, -7.9A, RDS(ON) = 20m @VGS = -10V. RDS(ON) = 33m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D1 D1 D2 D2 Lead free product is acquired. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 2

Другие IGBT... CEM4948, CEM4953, CEM4953A, CEM4953H, CEM6601, CEM6607, CEM6861, CEM6867, IRFZ46N, CEM8435A, CEM9407A, CEM9435, CEM9435A, CEM9953A, CEN2301, CEP05P03, CEP12P10