2N6851 Todos los transistores

 

2N6851 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6851

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO39

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2N6851 datasheet

 ..1. Size:131K  international rectifier
 2n6851 irff9230.pdf pdf_icon

2N6851

PD - 90551D IRFF9230 JANTX2N6851 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6851 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9230 -200V 0.80 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry

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History: SSF2616E | 2N6901JANTX

 

 

 


 
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