2N6851 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6851  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO39

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2N6851

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6851 даташит

 ..1. Size:131K  international rectifier
 2n6851 irff9230.pdf pdf_icon

2N6851

PD - 90551D IRFF9230 JANTX2N6851 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6851 HEXFET TRANSISTORS JANS2N6851 THRU-HOLE (TO-205AF) REF MIL-PRF-19500/564 200V, P-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9230 -200V 0.80 -4.0A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry

Другие IGBT... 2N6802JANTXV, 2N6802SM, 2N6823, 2N6826, 2N6845, 2N6847, 2N6849, 2N6849L, IRF1405, 2N6901, 2N6901JANTX, 2N6901JANTXV, 2N6902, 2N6902JANTX, 2N6902JANTXV, 2N6903, 2N6903JANTX