CET4301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CET4301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CET4301

CET4301 Datasheet (PDF)

..1. Size:729K cet
cet4301.pdf

CET4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Otros transistores... CES2309 , CES2313 , CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , IRF3710 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: