CET4301 Todos los transistores

 

CET4301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET4301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

 Búsqueda de reemplazo de CET4301 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CET4301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cet
 cet4301.pdf pdf_icon

CET4301

CET4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Otros transistores... CES2309 , CES2313 , CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , 10N60 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 .

History: SHD225409 | ME7636 | SI2305B | IPD06N03LBG | CEB140N10 | IXFH15N100Q | H7N1004LS

 

 
Back to Top

 


 
.