Справочник MOSFET. CET4301

 

CET4301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CET4301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CET4301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET4301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:729K  cet
 cet4301.pdf pdf_icon

CET4301

CET4301P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-40V, -6.3A, RDS(ON) = 44m @VGS = -10V. RDS(ON) = 68m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-S

Другие MOSFET... CES2309 , CES2313 , CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , 10N60 , CET4435A , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 .

History: WMB02DN10T1 | PPMUT20V3 | 3N55

 

 
Back to Top

 


 
.