CET4435A Todos los transistores

 

CET4435A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CET4435A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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CET4435A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  cet
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CET4435A

CET4435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -8.8A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 35m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-

 ..2. Size:892K  cn vbsemi
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CET4435A

CET4435Awww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS

Otros transistores... CES2313 , CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , CET4301 , IRF3710 , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 .

History: ZXMP3F35N8 | NTHL080N120SC1 | CES2303 | H7P1006MD90TZ | CEP15P15 | FDS4435-NL | PB555BA

 

 
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