CET4435A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CET4435A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для CET4435A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CET4435A даташит
cet4435a.pdf
CET4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8.8A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 35m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-
cet4435a.pdf
CET4435A www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS
Другие MOSFET... CES2313 , CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , CET4301 , AO3400 , CET6601 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802


