CET4435A - описание и поиск аналогов

 

CET4435A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CET4435A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CET4435A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET4435A даташит

 ..1. Size:143K  cet
 cet4435a.pdf pdf_icon

CET4435A

CET4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -8.8A, RDS(ON) = 24m @VGS = -10V. RDS(ON) = 35m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-

 ..2. Size:892K  cn vbsemi
 cet4435a.pdf pdf_icon

CET4435A

CET4435A www.VBsemi.tw P-Channel 35 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET - 35 9.8 nC 0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S APPLICATIONS

Другие IGBT... CES2313, CES2313A, CES2317, CES2321, CES2321A, CES2323, CES2331, CET4301, AO3400, CET6601, CET6861, CET9435A, CEU05P03, CEU11P20, CEU12P10, CEU20P06, CEU20P10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.