CET6601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CET6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de CET6601 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CET6601 datasheet

 ..1. Size:385K  cet
 cet6601.pdf pdf_icon

CET6601

CET6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -4.3A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-

Otros transistores... CES2313A, CES2317, CES2321, CES2321A, CES2323, CES2331, CET4301, CET4435A, IRFB4227, CET6861, CET9435A, CEU05P03, CEU11P20, CEU12P10, CEU20P06, CEU20P10, CEU2303