Справочник MOSFET. CET6601

 

CET6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CET6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CET6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cet
 cet6601.pdf pdf_icon

CET6601

CET6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -4.3A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-

Другие MOSFET... CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , CET4301 , CET4435A , AON6414A , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 .

History: STU10NM65N | RU20E60L | 4N80G-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.