CET6601 - описание и поиск аналогов

 

CET6601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CET6601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CET6601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CET6601 даташит

 ..1. Size:385K  cet
 cet6601.pdf pdf_icon

CET6601

CET6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -4.3A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON). Rugged and reliable. D Lead free product is acquired. SOT-223 package. G D S D G SOT-223 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-

Другие MOSFET... CES2313A , CES2317 , CES2321 , CES2321A , CES2323 , CES2331 , CET4301 , CET4435A , IRFB4227 , CET6861 , CET9435A , CEU05P03 , CEU11P20 , CEU12P10 , CEU20P06 , CEU20P10 , CEU2303 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.