Справочник MOSFET. CET6601

 

CET6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CET6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CET6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:385K  cet
 cet6601.pdf pdf_icon

CET6601

CET6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -4.3A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.High dense cell design for extremely low RDS(ON).Rugged and reliable.DLead free product is acquired.SOT-223 package.GDSDGSOT-223SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise notedParameter Symbol Limit UnitsDrain-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LSC65R280HT | 2SK3700 | IPB22N03S4L-15

 

 
Back to Top

 


 
.