CEU6601 Todos los transistores

 

CEU6601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm

Encapsulados: TO252

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CEU6601 datasheet

 ..1. Size:428K  cet
ced6601 ceu6601.pdf pdf_icon

CEU6601

CED6601/CEU6601 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -16A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MA

 ..2. Size:831K  cn vbsemi
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CEU6601

CEU6601 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested 0.061 at VGS = - 10 V - 30 APPLICATIONS - 60 10 0.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load Switch S TO-252 G G D S Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise noted Parameter Symbo

Otros transistores... CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , 2N7002 , CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A , 2N7000K , 2N7002KA , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S .

 

 

 


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