Справочник MOSFET. CEU6601

 

CEU6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  cet
 ced6601 ceu6601.pdf pdf_icon

CEU6601

CED6601/CEU6601P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-60V, -16A, RDS(ON) = 86m @VGS = -10V. RDS(ON) = 125m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MA

 ..2. Size:831K  cn vbsemi
 ceu6601.pdf pdf_icon

CEU6601

CEU6601www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

Другие MOSFET... CEU20P10 , CEU2303 , CEU30P10 , CEU3301 , CEU3423 , CEU4201 , CEU4301 , CEU4311 , K4145 , CEU6861 , CEU95P04 , 2N7000A , 2N7000K , 2N7002KA , KTJ6131E , KTJ6131V , KTJ6164S .

History: NCE1490 | MEE3712T | IRLR2908TR | MTE50N10FP | SRADM1006 | CEU4201

 

 
Back to Top

 


 
.