KMA010P20Q Todos los transistores

 

KMA010P20Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KMA010P20Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: FLP8

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KMA010P20Q datasheet

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KMA010P20Q

SEMICONDUCTOR KMA010P20Q TECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone, and PDA. FEATURES H T VDSS=-20V, ID=-10A. D P G L Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A. A RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A. DIM MILLIMETERS A _ 4.85 0.2 + B1 _ 3.94 + 0.2 B2 _ 6.

Otros transistores... KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , KF70N06P , KF80N08F , KF80N08P , AO4407 , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA .

 

 

 

 

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