KMA010P20Q Todos los transistores

 

KMA010P20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMA010P20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

KMA010P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  kec
 kma010p20q.pdf pdf_icon

KMA010P20Q

SEMICONDUCTOR KMA010P20QTECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power managementin cell phone, and PDA. FEATURES HTVDSS=-20V, ID=-10A.D PG LDrain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A.A: RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A.DIM MILLIMETERSA _4.85 0.2+B1 _3.94 + 0.2B2 _6.

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFS7530 | MTEA2N15L3 | SSF60R280SFD | SUM90P10-19 | BF1118 | MTD30N10Q8 | HY3403P

 

 
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