Справочник MOSFET. KMA010P20Q

 

KMA010P20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMA010P20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA010P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  kec
 kma010p20q.pdf pdf_icon

KMA010P20Q

SEMICONDUCTOR KMA010P20QTECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power managementin cell phone, and PDA. FEATURES HTVDSS=-20V, ID=-10A.D PG LDrain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A.A: RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A.DIM MILLIMETERSA _4.85 0.2+B1 _3.94 + 0.2B2 _6.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.