Справочник MOSFET. KMA010P20Q

 

KMA010P20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMA010P20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMA010P20Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA010P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  kec
 kma010p20q.pdf pdf_icon

KMA010P20Q

SEMICONDUCTOR KMA010P20QTECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power managementin cell phone, and PDA. FEATURES HTVDSS=-20V, ID=-10A.D PG LDrain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A.A: RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A.DIM MILLIMETERSA _4.85 0.2+B1 _3.94 + 0.2B2 _6.

Другие MOSFET... KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , KF70N06P , KF80N08F , KF80N08P , P60NF06 , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA .

History: WMB240P10HG4 | ME80N08AF-G | RSF014N03

 

 
Back to Top

 


 
.