Справочник MOSFET. KMA010P20Q

 

KMA010P20Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KMA010P20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: FLP8

 Аналог (замена) для KMA010P20Q

 

 

KMA010P20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  kec
 kma010p20q.pdf

KMA010P20Q KMA010P20Q

SEMICONDUCTOR KMA010P20QTECHNICAL DATA P-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power managementin cell phone, and PDA. FEATURES HTVDSS=-20V, ID=-10A.D PG LDrain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=14m (Max.) @ VGS=-4.5V, ID=-10A.A: RDS(ON)=24m (Max.) @ VGS=-2.5V, ID=-7.6A.DIM MILLIMETERSA _4.85 0.2+B1 _3.94 + 0.2B2 _6.

Другие MOSFET... KTK5134S , KTK5162S , KTK5164S , KTK5164U , KF70N06F , KF70N06P , KF80N08F , KF80N08P , MMIS60R580P , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA .

 

 
Back to Top