KMA4D5P20XA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMA4D5P20XA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
Encapsulados: TSOP6
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KMA4D5P20XA datasheet
kma4d5p20xa.pdf
SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XA TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain
kma4d5p20x.pdf
SEMICONDUCTOR KMA4D5P20X TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone, and PDA. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=60m (Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A RDS(ON)=110m (Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3A Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) MAXIMUM RATING
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History: KMB4D5DN60QA
History: KMB4D5DN60QA
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