KMA4D5P20XA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KMA4D5P20XA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KMA4D5P20XA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA4D5P20XA даташит

 ..1. Size:831K  kec
 kma4d5p20xa.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XA TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain

 4.1. Size:811K  kec
 kma4d5p20x.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20X TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone, and PDA. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=60m (Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A RDS(ON)=110m (Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3A Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) MAXIMUM RATING

Другие IGBT... KMA010P20Q, KMA2D0DP20X, KMA2D4P20SA, KMA2D7DP20X, KMA2D8P20X, KMA3D0N20SA, KMA3D6N20SA, KMA4D5P20X, 18N50, KMA5D8DP20Q, KMA6D5P20Q, KMA7D0NP30Q, KMB010P30QA, KMB012N30Q, KMB012N40DA, KMB014P30QA, KMB030N30D