KMA4D5P20XA - описание и поиск аналогов

 

Аналоги KMA4D5P20XA. Основные параметры


   Наименование производителя: KMA4D5P20XA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для KMA4D5P20XA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA4D5P20XA даташит

 ..1. Size:831K  kec
 kma4d5p20xa.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XA TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain

 4.1. Size:811K  kec
 kma4d5p20x.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20X TECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFET General Description It s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone, and PDA. FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A. Drain-Source ON Resistance. RDS(ON)=60m (Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A RDS(ON)=110m (Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3A Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... KMA010P20Q , KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , RFP50N06 , KMA5D8DP20Q , KMA6D5P20Q , KMA7D0NP30Q , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , KMB030N30D .

History: HAT2119H

 

 
Back to Top

 


 
.