Справочник MOSFET. KMA4D5P20XA

 

KMA4D5P20XA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMA4D5P20XA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA4D5P20XA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  kec
 kma4d5p20xa.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XATECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain

 4.1. Size:811K  kec
 kma4d5p20x.pdf pdf_icon

KMA4D5P20XA

SEMICONDUCTOR KMA4D5P20XTECHNICAL DATA P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionIt s mainly suitable for battery pack or power management in cell phone,and PDA.FEATURES VDSS=-20V, ID=-4.5A.Drain-Source ON Resistance.: RDS(ON)=60m(Max.) @ VGS=-4.5V,.ID=-4.5A: RDS(ON)=110m(Max.) @ VGS=-2.5V,.ID=-3.3ASuper High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON)MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PHP160NQ08T | BUK9Y07-30B | NCE70N290D | UF630L-TN3-R | HGB390N25S | NCEP058N85D | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.