KMA5D8DP20Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMA5D8DP20Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KMA5D8DP20Q

KMA5D8DP20Q Datasheet (PDF)

..1. Size:750K kec
kma5d8dp20q.pdf

SEMICONDUCTOR KMA5D8DP20QTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-5.8A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=36m (Max.) @ VGS=-4.

9.1. Size:831K kec
kma5d2n30xa.pdf

SEMICONDUCTOR KMA5D2N30XATECHNICAL DATA N-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.FEATURES VDSS=30V, ID=5.2A.Drain-S

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Liste

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