KMA5D8DP20Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMA5D8DP20Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Encapsulados: FLP8
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KMA5D8DP20Q datasheet
kma5d8dp20q.pdf
SEMICONDUCTOR KMA5D8DP20Q TECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFET General Description Battery Packs and Battery-powered portable equipment applications. It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. H T D P G L FEATURES VDSS=-20V, ID=-5.8A. A Drain-Source ON Resistance. DIM MILLIMETERS RDS(ON)=36m (Max.) @ VGS=-4.
kma5d2n30xa.pdf
SEMICONDUCTOR KMA5D2N30XA TECHNICAL DATA N-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=30V, ID=5.2A. Drain-S
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