KMA5D8DP20Q - описание и поиск аналогов

 

KMA5D8DP20Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMA5D8DP20Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: FLP8

Аналог (замена) для KMA5D8DP20Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA5D8DP20Q даташит

 ..1. Size:750K  kec
 kma5d8dp20q.pdf pdf_icon

KMA5D8DP20Q

SEMICONDUCTOR KMA5D8DP20Q TECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFET General Description Battery Packs and Battery-powered portable equipment applications. It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applications and protection in battery packs. H T D P G L FEATURES VDSS=-20V, ID=-5.8A. A Drain-Source ON Resistance. DIM MILLIMETERS RDS(ON)=36m (Max.) @ VGS=-4.

 9.1. Size:831K  kec
 kma5d2n30xa.pdf pdf_icon

KMA5D8DP20Q

SEMICONDUCTOR KMA5D2N30XA TECHNICAL DATA N-CH Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche characteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebook computer power management and other battery powered circuits. FEATURES VDSS=30V, ID=5.2A. Drain-S

Другие MOSFET... KMA2D0DP20X , KMA2D4P20SA , KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA , SI2302 , KMA6D5P20Q , KMA7D0NP30Q , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB035N40DB .

History: STF32NM50N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.