Справочник MOSFET. KMA5D8DP20Q

 

KMA5D8DP20Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMA5D8DP20Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: FLP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA5D8DP20Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:750K  kec
 kma5d8dp20q.pdf pdf_icon

KMA5D8DP20Q

SEMICONDUCTOR KMA5D8DP20QTECHNICAL DATA Dual P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionBattery Packs and Battery-powered portable equipment applications.It s mainly suitable for use as a load switch in battery powered applicationsand protection in battery packs.HTD PG LFEATURES VDSS=-20V, ID=-5.8A.ADrain-Source ON Resistance.DIM MILLIMETERS: RDS(ON)=36m (Max.) @ VGS=-4.

 9.1. Size:831K  kec
 kma5d2n30xa.pdf pdf_icon

KMA5D8DP20Q

SEMICONDUCTOR KMA5D2N30XATECHNICAL DATA N-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalanchecharacteristics. It is mainly suitable for cellular phone and netebookcomputer power management and other battery powered circuits.FEATURES VDSS=30V, ID=5.2A.Drain-S

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STA4470 | APT10050LVFR | SJMN380R65F | STM8300 | RFK25P10

 

 
Back to Top

 


 
.