KMA7D0NP30Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMA7D0NP30Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.5) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11(17) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145(160) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017(0.035) Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP8

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KMA7D0NP30Q Datasheet (PDF)

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kma7d0np30q.pdf

SEMICONDUCTOR KMA7D0NP30QTECHNICAL DATA N and P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC converter applications.It s mainly suitable for power management in notebook, portable equipment and battery powered systems.AFEATURES 8 5TN-ChannelB1B2L: VDSS=30V, ID=7A.1 4: RDS(ON)=17m (Typ.) @ VGS=10V.: RDS(ON)=22m (Typ.) @ VGS=4.5V. DIM MILLIMET

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Liste

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