KMA7D0NP30Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMA7D0NP30Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7(5.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11(17) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145(160) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017(0.035) Ohm
Encapsulados: FLP8
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KMA7D0NP30Q datasheet
kma7d0np30q.pdf
SEMICONDUCTOR KMA7D0NP30Q TECHNICAL DATA N and P-CH Trench MOSFET General Description Switching regulator and DC-DC converter applications. It s mainly suitable for power management in notebook, portable equipment and battery powered systems. A FEATURES 8 5 T N-Channel B1 B2 L VDSS=30V, ID=7A. 1 4 RDS(ON)=17m (Typ.) @ VGS=10V. RDS(ON)=22m (Typ.) @ VGS=4.5V. DIM MILLIMET
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History: KMB054N40DB
History: KMB054N40DB
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