Справочник MOSFET. KMA7D0NP30Q

 

KMA7D0NP30Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMA7D0NP30Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7(5.5) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11(17) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145(160) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017(0.035) Ohm
   Тип корпуса: FLP8
 

 Аналог (замена) для KMA7D0NP30Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMA7D0NP30Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  kec
 kma7d0np30q.pdf pdf_icon

KMA7D0NP30Q

SEMICONDUCTOR KMA7D0NP30QTECHNICAL DATA N and P-CH Trench MOSFETGeneral DescriptionSwitching regulator and DC-DC converter applications.It s mainly suitable for power management in notebook, portable equipment and battery powered systems.AFEATURES 8 5TN-ChannelB1B2L: VDSS=30V, ID=7A.1 4: RDS(ON)=17m (Typ.) @ VGS=10V.: RDS(ON)=22m (Typ.) @ VGS=4.5V. DIM MILLIMET

Другие MOSFET... KMA2D7DP20X , KMA2D8P20X , KMA3D0N20SA , KMA3D6N20SA , KMA4D5P20X , KMA4D5P20XA , KMA5D8DP20Q , KMA6D5P20Q , 75N75 , KMB010P30QA , KMB012N30Q , KMB012N40DA , KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA .

History: RSR020N06TL | AUIRF7799L2

 

 
Back to Top

 


 
.