FDP4030L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP4030L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de FDP4030L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FDP4030L datasheet

 ..1. Size:392K  fairchild semi
 fdp4030l fdb4030l.pdf pdf_icon

FDP4030L

March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 V transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V. high cell density, DMOS technology. This very high Critical DC electrical parame

 9.1. Size:78K  fairchild semi
 fdp4020p fdb4020p.pdf pdf_icon

FDP4030L

September 2000 FDP4020P/FDB4020P P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 V This P-Channel low threshold MOSFET has been RDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V. designed for use as a linear pass element for low voltage outputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti

Otros transistores... FDN339AN, FDN340P, FDN357N, FDN358P, FDN359AN, FDN360P, FDN361AN, FDP4020P, IRFP064N, FDP5680, FDP5690, FDP6030BL, FDP6030L, FDP6035AL, FDP6035L, FDP603AL, FDP6670AL