FDP4030L Todos los transistores

 

FDP4030L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP4030L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP4030L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:392K  fairchild semi
 fdp4030l fdb4030l.pdf pdf_icon

FDP4030L

March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 Vtransistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V.high cell density, DMOS technology. This very highCritical DC electrical parame

 9.1. Size:78K  fairchild semi
 fdp4020p fdb4020p.pdf pdf_icon

FDP4030L

September 2000FDP4020P/FDB4020PP-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 VThis P-Channel low threshold MOSFET has beenRDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V.designed for use as a linear pass element for low voltageoutputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti

Otros transistores... FDN339AN , FDN340P , FDN357N , FDN358P , FDN359AN , FDN360P , FDN361AN , FDP4020P , 5N50 , FDP5680 , FDP5690 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL .

 

 
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