FDP4030L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDP4030L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 37.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 210 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO220
FDP4030L Datasheet (PDF)
fdp4030l fdb4030l.pdf
March 1998 FDP4030L / FDB4030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect20 A, 30 V. RDS(ON) = 0.035 @ VGS=10 Vtransistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.055 @ VGS=4.5V.high cell density, DMOS technology. This very highCritical DC electrical parame
fdp4020p fdb4020p.pdf
September 2000FDP4020P/FDB4020PP-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral DescriptionFeatures -16 A, -20 V. RDS(on) = 0.08 @ VGS = -4.5 VThis P-Channel low threshold MOSFET has beenRDS(on) = 0.11 @ VGS = -2.5 V.designed for use as a linear pass element for low voltageoutputs. In addition, the part may be used as a low voltage Criti
Другие MOSFET... FDN339AN , FDN340P , FDN357N , FDN358P , FDN359AN , FDN360P , FDN361AN , FDP4020P , 60N06 , FDP5680 , FDP5690 , FDP6030BL , FDP6030L , FDP6035AL , FDP6035L , FDP603AL , FDP6670AL .
