KMB060N60PA Todos los transistores

 

KMB060N60PA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMB060N60PA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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KMB060N60PA datasheet

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KMB060N60PA

KMB060N60PA/FA SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description KMB060N60PA A It s mainly suitable for low viltage applications such as automotive, O C DC/DC converters and a load switch in battery powered applications F E DIM MILLIMETERS G _ + A 9.9 0.2 B B 15.95 MAX FEATURES Q C 1.3+0.1/-0.05 _ VDSS= 60V, ID= 60A I + D 0.8 0.1

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KMB060N60PA

SEMICONDUCTOR KMB060N40BA TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description K L A This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche DIM MILLIMETERS characteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power _ A 9.95 + 0.05 B _ B 9.2 + 0.1 Supply. D C 8.00 _ 15.3 0.2 D + P

Otros transistores... KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , 7N60 , KMB080N75PA , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA .

History: CJAC110N03 | BUP70 | IRFB42N20D | IRF9530

 

 

 


 
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