KMB060N60PA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KMB060N60PA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 220 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KMB060N60PA

KMB060N60PA Datasheet (PDF)

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kmb060n60pa fa.pdf

KMB060N60PA/FASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KMB060N60PAAIt s mainly suitable for low viltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 60V, ID= 60A I+D 0.8 0.1

7.1. Size:53K kec
kmb060n40ba.pdf

SEMICONDUCTOR KMB060N40BATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionKLAThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power_A 9.95 + 0.05B_B 9.2 + 0.1Supply.DC 8.00_15.3 0.2D +P

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: