Справочник MOSFET. KMB060N60PA

 

KMB060N60PA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMB060N60PA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 220 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KMB060N60PA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB060N60PA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  kec
 kmb060n60pa fa.pdf pdf_icon

KMB060N60PA

KMB060N60PA/FASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description KMB060N60PAAIt s mainly suitable for low viltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 60V, ID= 60A I+D 0.8 0.1

 7.1. Size:53K  kec
 kmb060n40ba.pdf pdf_icon

KMB060N60PA

SEMICONDUCTOR KMB060N40BATECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionKLAThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheDIM MILLIMETERScharacteristics. It is mainly suitable for Back-light Inverter and power_A 9.95 + 0.05B_B 9.2 + 0.1Supply.DC 8.00_15.3 0.2D +P

Другие MOSFET... KMB035N40DB , KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , MMIS60R580P , KMB080N75PA , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA .

 

 
Back to Top

 


 
.