KMB080N75PA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KMB080N75PA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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KMB080N75PA datasheet
kmb080n75pa.pdf
KMB080N75PA SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A It s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, O C DC/DC converters and a load switch in battery powered applications F E DIM MILLIMETERS G _ + A 9.9 0.2 B B 15.95 MAX FEATURES Q C 1.3+0.1/-0.05 _ VDSS= 75V, ID= 80A I + D 0.8 0.1 _ E 3.6 + 0.2
Otros transistores... KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , KMB060N60PA , IRFZ48N , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q .
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