KMB080N75PA Todos los transistores

 

KMB080N75PA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMB080N75PA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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KMB080N75PA Datasheet (PDF)

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KMB080N75PA

KMB080N75PASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AIt s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 75V, ID= 80A I+D 0.8 0.1_E 3.6 + 0.2

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History: KMB3D9N40TA | OSG65R200FF

 

 
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