Справочник MOSFET. KMB080N75PA

 

KMB080N75PA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMB080N75PA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB080N75PA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  kec
 kmb080n75pa.pdf pdf_icon

KMB080N75PA

KMB080N75PASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AIt s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 75V, ID= 80A I+D 0.8 0.1_E 3.6 + 0.2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APL602J | TK3A60DA | BSS214NW | HAF1002 | PK5M6EA

 

 
Back to Top

 


 
.