KMB080N75PA - описание и поиск аналогов

 

KMB080N75PA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMB080N75PA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для KMB080N75PA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB080N75PA даташит

 ..1. Size:477K  kec
 kmb080n75pa.pdf pdf_icon

KMB080N75PA

KMB080N75PA SEMICONDUCTOR N CHANNEL MOS FIELD TECHNICAL DATA EFFECT TRANSISTOR General Description A It s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, O C DC/DC converters and a load switch in battery powered applications F E DIM MILLIMETERS G _ + A 9.9 0.2 B B 15.95 MAX FEATURES Q C 1.3+0.1/-0.05 _ VDSS= 75V, ID= 80A I + D 0.8 0.1 _ E 3.6 + 0.2

Другие MOSFET... KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , KMB060N60PA , IRFZ48N , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.