Справочник MOSFET. KMB080N75PA

 

KMB080N75PA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KMB080N75PA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для KMB080N75PA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB080N75PA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:477K  kec
 kmb080n75pa.pdf pdf_icon

KMB080N75PA

KMB080N75PASEMICONDUCTORN CHANNEL MOS FIELDTECHNICAL DATAEFFECT TRANSISTORGeneral Description AIt s mainly suitable for low voltage applications such as automotive, OCDC/DC converters and a load switch in battery powered applicationsFE DIM MILLIMETERSG_+A 9.9 0.2BB 15.95 MAXFEATURES QC 1.3+0.1/-0.05_VDSS= 75V, ID= 80A I+D 0.8 0.1_E 3.6 + 0.2

Другие MOSFET... KMB050N60P , KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , KMB060N60PA , RU7088R , KMB2D0N60SA , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q .

History: SML50A19 | HRU180N10K

 

 
Back to Top

 


 
.