KMB2D0N60SA Todos los transistores

 

KMB2D0N60SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMB2D0N60SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KMB2D0N60SA Datasheet (PDF)

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KMB2D0N60SA

SEMICONDUCTOR KMB2D0N60SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment.L B LDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXFEATURES 23 D 0.40+0.15/-0.05

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History: IXFQ12N80P | MD100N20 | MDT30P10D | BLF6G10LS-260PRN | IRF750A | IXFN48N50U3 | TMP5N60AZ

 

 
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