KMB2D0N60SA Todos los transistores

 

KMB2D0N60SA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KMB2D0N60SA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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KMB2D0N60SA datasheet

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KMB2D0N60SA

SEMICONDUCTOR KMB2D0N60SA TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche E characteristics. It is mainly suitable for portable equipment. L B L DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX FEATURES 2 3 D 0.40+0.15/-0.05

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