KMB2D0N60SA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KMB2D0N60SA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.125 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для KMB2D0N60SA
KMB2D0N60SA Datasheet (PDF)
..1. Size:58K kec
kmb2d0n60sa.pdf
kmb2d0n60sa.pdf
SEMICONDUCTOR KMB2D0N60SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment.L B LDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXFEATURES 23 D 0.40+0.15/-0.05
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: WSR140N08
