KMB2D0N60SA - описание и поиск аналогов

 

KMB2D0N60SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KMB2D0N60SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для KMB2D0N60SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB2D0N60SA даташит

 ..1. Size:58K  kec
 kmb2d0n60sa.pdf pdf_icon

KMB2D0N60SA

SEMICONDUCTOR KMB2D0N60SA TECHNICAL DATA N-Ch Trench MOSFET General Description This Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switching time, low on resistance, low gate charge and excellent avalanche E characteristics. It is mainly suitable for portable equipment. L B L DIM MILLIMETERS _ + A 2.93 0.20 B 1.30+0.20/-0.15 C 1.30 MAX FEATURES 2 3 D 0.40+0.15/-0.05

Другие MOSFET... KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , KMB060N60PA , KMB080N75PA , IRFZ46N , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q , KMB4D8DN55Q .

History: KMB060N40BA | KMB4D5DN60QA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.