KMB2D0N60SA - аналоги и даташиты транзистора

 

KMB2D0N60SA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KMB2D0N60SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KMB2D0N60SA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KMB2D0N60SA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  kec
 kmb2d0n60sa.pdf pdf_icon

KMB2D0N60SA

SEMICONDUCTOR KMB2D0N60SATECHNICAL DATAN-Ch Trench MOSFETGeneral DescriptionThis Trench MOSFET has better characteristics, such as fast switchingtime, low on resistance, low gate charge and excellent avalancheEcharacteristics. It is mainly suitable for portable equipment.L B LDIM MILLIMETERS_+A 2.93 0.20B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAXFEATURES 23 D 0.40+0.15/-0.05

Другие MOSFET... KMB050N60PA , KMB054N40DA , KMB054N40DB , KMB054N45DA , KMB060N40BA , KMB060N60FA , KMB060N60PA , KMB080N75PA , RU7088R , KMB3D0P30SA , KMB3D5N40SA , KMB3D5PS30QA , KMB3D9N40TA , KMB4D0N30SA , KMB4D5DN60QA , KMB4D5NP55Q , KMB4D8DN55Q .

History: SVG036R3NL3 | IXTP4N100 | STU4N52K3 | NTD4805N-1G

 

 
Back to Top

 


 
.